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射频开关芯片片上模拟地与射频地连接电路及封装结构

申请号: CN202420217596.X
申请人: 江苏乾合微电子有限公司
申请日期: 2024/1/29

专利详细信息

项目 内容
专利名称 射频开关芯片片上模拟地与射频地连接电路及封装结构
专利类型 实用新型
申请号 CN202420217596.X
申请日 2024/1/29
公告号 CN222107921U
公开日 2024/12/3
IPC主分类号 H03K17/687
权利人 江苏乾合微电子有限公司
发明人 刘刚; 杨震; 赵云; 郭天生; 赵鹏
地址 江苏省无锡市江阴市澄江东路99号

摘要文本

本申请公开一种射频开关芯片片上模拟地与射频地连接电路及封装结构,涉及射频开关芯片领域,两个对称的射频电路分别设置由控制单元控制通断的双开关,一开关位于射频输入和射频天线之间,另一开关位于射频输入和射频地之间,在模拟地和射频地之间加入MOS管和导通电阻,并将MOS管的控制端与另一射频通路的控制开关连接。在一侧射频通路导通时,将该侧射频地断开,而将对侧射频地与模拟地连通,实现双射频地公用模拟地,从而减少在及岛上布设的pad数量,方便适应后续更新到更小尺寸封装形式。

专利主权项内容

1.一种射频开关芯片片上模拟地与射频地连接电路,其特征在于,包括射频天线、控制单元、对称设置的第一射频电路和第二射频电路;所述第一射频电路和第二射频电路共同连接到射频天线和控制单元上;
所述第一射频电路和第二射频电路分别包含有射频输入端、射频地和控制电路;所述控制单元设置有用于第一射频电路和第二射频电路共用的模拟地;每个控制电路的两个输入端分别连接在对应射频电路的射频地和模拟地之间,且控制电路的控制端连接到控制单元上;所述控制电路用于将所在射频电路中的射频地与控制单元的模拟地导通;
当所述控制单元通过控制电路导通模拟地和第一射频电路的射频地时,第一射频电路与射频天线导通工作,第二射频电路隔离断开;当所述控制单元通过控制电路导通模拟地和第二射频电路的射频地时,第二射频电路与射频天线导通工作,第一射频电路隔离断开。