本发明公开了一种MEMS压力传感器，包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、第一钝化层、电极层、第二钝化层。
压敏电阻位于埋氧层上表面，第一钝化层为位于埋氧层上表面的长方体壳体，长方体壳体的顶部中央设有通孔，第一钝化层盖合在压敏电阻上，与压敏电阻之间的空隙构成隔离腔。
电极层位于第一钝化层的上表面，并通过通孔与压敏电阻连接。
第二钝化层位于电极层的上表面。
通过设置隔开的钝化层，有效抑制钝化层中缺陷及其电荷俘获造成的压敏电阻性能漂移，从而提高传感器的长期稳定性，同时缓解钝化层与压敏电阻之间的材料特性失配引起的稳定性问题以及抑制环境气氛和辐照等对压敏电阻性能的影响。

黄晓东 张鹏飞 张志强

东南大学

211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号

本发明公开了一种MEMS压力传感器，包括体硅层、埋氧层、衬底、压敏电阻、第一钝化层、电极层、第二钝化层。
压敏电阻位于埋氧层上表面，第一钝化层为位于埋氧层上表面的长方体壳体，长方体壳体的顶部中央设有通孔，第一钝化层盖合在压敏电阻上，与压敏电阻之间的空隙构成隔离腔。
电极层位于第一钝化层的上表面，并通过通孔与压敏电阻连接。
第二钝化层位于电极层的上表面。
通过设置隔开的钝化层，有效抑制钝化层中缺陷及其电荷俘获造成的压敏电阻性能漂移，从而提高传感器的长期稳定性，同时缓解钝化层与压敏电阻之间的材料特性失配引起的稳定性问题以及抑制环境气氛和辐照等对压敏电阻性能的影响。