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专利摘要

本发明提供一种MEMS器件及其制作方法,所述方法包括:提供MEMS晶圆,在所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的器件层;在所述MEMS晶圆正面形成具有开口的缓冲层,其中,所述缓冲层的厚度大于所述图案化的器件层的厚度,所述开口暴露所述图案化的器件层;在所述缓冲层上形成保护层,其中所述保护层的底部与所述图案化的器件层的顶部不接触;反转所述MEMS晶圆,执行背面工艺。
根据本发明的制作方法,由于作为保护层的胶带的粘性面不与图案化的器件层接触,在去除所述胶带的过程中不会对所述图案化的器件层造成影响,改善了MEMS器件在去除胶带(Detape)工艺中产生损伤的现象,保护了器件,提高了所述MEMS器件的性能和良率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201510084495.5
申请日
2015-02-16
公开日
2021-02-26
公开号
CN105984836B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

郑超 李卫刚

申请人

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址

201203 上海市浦东新区张江路18号

专利摘要

本发明提供一种MEMS器件及其制作方法,所述方法包括:提供MEMS晶圆,在所述MEMS晶圆的正面形成有图案化的器件层;在所述MEMS晶圆正面形成具有开口的缓冲层,其中,所述缓冲层的厚度大于所述图案化的器件层的厚度,所述开口暴露所述图案化的器件层;在所述缓冲层上形成保护层,其中所述保护层的底部与所述图案化的器件层的顶部不接触;反转所述MEMS晶圆,执行背面工艺。
根据本发明的制作方法,由于作为保护层的胶带的粘性面不与图案化的器件层接触,在去除所述胶带的过程中不会对所述图案化的器件层造成影响,改善了MEMS器件在去除胶带(Detape)工艺中产生损伤的现象,保护了器件,提高了所述MEMS器件的性能和良率。

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