本发明公开了一种基于SON结构的压阻式加速度传感器的制作方法,属于微电子制作技术领域。
该方法包括在硅衬底上淀积外延硅锗层;在硅锗层制作空腔范围图形和腐蚀阻挡沟槽;在腐蚀阻挡沟槽内形成SiO2氧化层;淀积非晶硅层得到敏感膜;在非晶硅层制作腐蚀通孔;淀积形成二氧化硅层和氮化硅层;在硅锗层形成矩形腐蚀空腔;去除非晶硅层的二氧化硅层和氮化硅层;向非晶硅层注入P+离子和P‑离子形成力敏电阻;淀积氧化硅介质层;在氧化硅介质层表面形成金属导线和金属PAD点;对应矩形腐蚀孔腔的两个长边的内侧形成敏感膜释放结构;可以明显降低压阻式加速度传感器在测量过程中的阻尼效应;达到了提高压阻式加速度传感器的测量精度的效果。
汪祖民
龙微科技无锡有限公司
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本发明公开了一种基于SON结构的压阻式加速度传感器的制作方法,属于微电子制作技术领域。
该方法包括在硅衬底上淀积外延硅锗层;在硅锗层制作空腔范围图形和腐蚀阻挡沟槽;在腐蚀阻挡沟槽内形成SiO2氧化层;淀积非晶硅层得到敏感膜;在非晶硅层制作腐蚀通孔;淀积形成二氧化硅层和氮化硅层;在硅锗层形成矩形腐蚀空腔;去除非晶硅层的二氧化硅层和氮化硅层;向非晶硅层注入P+离子和P‑离子形成力敏电阻;淀积氧化硅介质层;在氧化硅介质层表面形成金属导线和金属PAD点;对应矩形腐蚀孔腔的两个长边的内侧形成敏感膜释放结构;可以明显降低压阻式加速度传感器在测量过程中的阻尼效应;达到了提高压阻式加速度传感器的测量精度的效果。