本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。
对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。
选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。

郝秀春 李继丰

江苏昊微纳科技服务有限公司

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本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。
对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。
选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。