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专利摘要

提供了一种在基板材料内或基板材料上产生磁结构的方法。
在基板材料内或上生成第一数量的腔,并用表现出第一矫顽场强度的第一硬磁材料填充,从而产生硬磁结构的第一布置。
在基板材料内或上产生第二数量的腔,并用表现出小于第一矫顽场强度的第二矫顽场强度的第二硬磁材料填充,从而产生硬磁结构的第二布置。
利用第一磁场在第一方向上磁化硬磁结构的第一布置和第二布置,第一磁场表现出超过第一矫顽场强度和第二矫顽场强度的场强度。
利用第二磁场在不同于第一方向的第二方向上磁化硬磁结构的第二布置,第二磁场表现出低于第一矫顽场强度但超过第二矫顽场强度的场强度。
磁化硬磁结构的第二布置包括将硬磁结构的第一布置和第二布置暴露于第二磁场。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010649585.5
申请日
2020-07-08
公开日
2021-01-12
公开号
CN112216508A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

托马斯·李赛克 费边·罗芬克

申请人

弗劳恩霍夫应用研究促进协会

申请人地址

德国慕尼黑

专利摘要

提供了一种在基板材料内或基板材料上产生磁结构的方法。
在基板材料内或上生成第一数量的腔,并用表现出第一矫顽场强度的第一硬磁材料填充,从而产生硬磁结构的第一布置。
在基板材料内或上产生第二数量的腔,并用表现出小于第一矫顽场强度的第二矫顽场强度的第二硬磁材料填充,从而产生硬磁结构的第二布置。
利用第一磁场在第一方向上磁化硬磁结构的第一布置和第二布置,第一磁场表现出超过第一矫顽场强度和第二矫顽场强度的场强度。
利用第二磁场在不同于第一方向的第二方向上磁化硬磁结构的第二布置,第二磁场表现出低于第一矫顽场强度但超过第二矫顽场强度的场强度。
磁化硬磁结构的第二布置包括将硬磁结构的第一布置和第二布置暴露于第二磁场。

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