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专利摘要

本发明公开了一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括谐振层和承压膜片,谐振层包括谐振梁和平衡梁,四根谐振梁组成一组H型梁,H型梁共有两组且对称设置,谐振梁端部均固定在平衡梁上,两根平衡梁通过谐振梁的延伸部分与刚性质量块连接,相邻的谐振梁之间设置有质量块,质量块中部设置有耦合梁,耦合梁中部设置有拾振电阻,位于外侧的两个质量块分别与两个可动电极固定连接。
当压力施加在承压膜片加载时,谐振梁受压产生形变,导致谐振梁的固有频率发生改变,同时通过固定电极激励谐振梁振动,谐振状态时,耦合梁上拾振电阻分别循环处于受压/受拉状态,基于压阻效应使得拾振电阻值发生变化,从而拾取谐振梁固有频率。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910064334.8
申请日
2019-01-23
公开日
2021-01-19
公开号
CN109879239B
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

赵立波 韩香广 李雪娇 郭鑫 皇咪咪 卢德江 王久洪 赵玉龙 蒋庄德

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

专利摘要

本发明公开了一种双H型受压梁硅微谐振压力传感器芯片及其制备方法,传感器芯片包括谐振层和承压膜片,谐振层包括谐振梁和平衡梁,四根谐振梁组成一组H型梁,H型梁共有两组且对称设置,谐振梁端部均固定在平衡梁上,两根平衡梁通过谐振梁的延伸部分与刚性质量块连接,相邻的谐振梁之间设置有质量块,质量块中部设置有耦合梁,耦合梁中部设置有拾振电阻,位于外侧的两个质量块分别与两个可动电极固定连接。
当压力施加在承压膜片加载时,谐振梁受压产生形变,导致谐振梁的固有频率发生改变,同时通过固定电极激励谐振梁振动,谐振状态时,耦合梁上拾振电阻分别循环处于受压/受拉状态,基于压阻效应使得拾振电阻值发生变化,从而拾取谐振梁固有频率。

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