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专利摘要

一种十字岛梁膜高温微压传感器芯片及制备方法,传感器芯片包括基底中部的薄膜,薄膜上加工有一个根部变窄十字型梁,梁根部与基底相连,梁根部布置压敏浮雕电阻条,四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块连接成半开环惠斯顿电桥,薄膜下面中间有一个十字型质量块;制备方法是对SOI硅片掺杂刻蚀成压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块,然后制作根部变窄十字型梁,并将硅片与玻璃正面真空键合,最后制作传感器的背腔十字型质量块;本发明根部变窄十字型梁和十字型质量块的引入提高了整体的刚度,集中了应力,具有耐高温、高线性度、高灵敏度、高动态等特点,且便于加工、成本低。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011061201.4
申请日
2020-09-30
公开日
2021-01-29
公开号
CN112284605A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

李村 杨鑫婉 赵玉龙 郝乐 张凯

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号

专利摘要

一种十字岛梁膜高温微压传感器芯片及制备方法,传感器芯片包括基底中部的薄膜,薄膜上加工有一个根部变窄十字型梁,梁根部与基底相连,梁根部布置压敏浮雕电阻条,四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块连接成半开环惠斯顿电桥,薄膜下面中间有一个十字型质量块;制备方法是对SOI硅片掺杂刻蚀成压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块,然后制作根部变窄十字型梁,并将硅片与玻璃正面真空键合,最后制作传感器的背腔十字型质量块;本发明根部变窄十字型梁和十字型质量块的引入提高了整体的刚度,集中了应力,具有耐高温、高线性度、高灵敏度、高动态等特点,且便于加工、成本低。

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