本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，在形成Z轴磁阻结构之后，以所述Z轴磁阻结构为掩模刻蚀所述第一凹槽的槽底和第二凹槽的槽底，以暴露出所述第二凹槽的槽底，以此步骤替代原有的在形成Z轴磁阻结构后的光刻胶的形成，图形化该光刻胶、以图形化的光刻胶为掩模对第二凹槽的槽底进行刻蚀，光刻胶的去除等一系列的工艺，其节省了图形化的光刻胶所需的掩模板，降低了生产成本，简化形成三轴磁传感器的工艺步骤，还解决了第一凹槽底部保护层搭桥的问题，提高了良率。

王俊杰 徐爱斌

上海华虹宏力半导体制造有限公司

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，在形成Z轴磁阻结构之后，以所述Z轴磁阻结构为掩模刻蚀所述第一凹槽的槽底和第二凹槽的槽底，以暴露出所述第二凹槽的槽底，以此步骤替代原有的在形成Z轴磁阻结构后的光刻胶的形成，图形化该光刻胶、以图形化的光刻胶为掩模对第二凹槽的槽底进行刻蚀，光刻胶的去除等一系列的工艺，其节省了图形化的光刻胶所需的掩模板，降低了生产成本，简化形成三轴磁传感器的工艺步骤，还解决了第一凹槽底部保护层搭桥的问题，提高了良率。