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专利摘要

本发明公开了一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法,包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器。
通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜,双压电电极既可用于通入一定频率的交变电压并利用逆压电效应产生压电驱动力,也可将硅微悬臂梁谐振器的振动信号通过压电效应转化为可检测电压信号,四根压阻梁上的四个敏感压阻条通过压阻衔接梁上的金属引线构成惠斯通全桥,用于检测谐振应力并将其转化为电压信号输出,通过压电激励方式可以得到悬臂梁谐振器的面内振动模态,振动电信号的输出采用压电与压阻双检测模式,该黏度传感器芯片在流体中具备高品质因子,能够显著提升流体黏度的适用范围与测量精度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010335079.9
申请日
2020-04-24
公开日
2020-08-14
公开号
CN111537396A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

赵立波 蒋庄德 黄琳雅 王路 谭仁杰 卢德江 罗国希 杨萍 王永录 王久洪

申请人

西安交通大学

申请人地址

710049 陕西省西安市咸宁西路28号

专利摘要

本发明公开了一种多操作模式的压电黏度传感器芯片及其工作方法和制备方法,包括硅基底和硅微悬臂梁谐振器。
通过MEMS工艺使硅微谐振悬臂梁结构覆盖有低应力氮化铝压电薄膜,双压电电极既可用于通入一定频率的交变电压并利用逆压电效应产生压电驱动力,也可将硅微悬臂梁谐振器的振动信号通过压电效应转化为可检测电压信号,四根压阻梁上的四个敏感压阻条通过压阻衔接梁上的金属引线构成惠斯通全桥,用于检测谐振应力并将其转化为电压信号输出,通过压电激励方式可以得到悬臂梁谐振器的面内振动模态,振动电信号的输出采用压电与压阻双检测模式,该黏度传感器芯片在流体中具备高品质因子,能够显著提升流体黏度的适用范围与测量精度。

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