目录

专利摘要

本发明提供一种压力传感器、基板结构及其制造方法,该用于压力传感器的基板结构包括基板,所述基板贯设有压力孔,所述压力孔包括沿第一方向布置的直孔和锥孔,所述锥孔自所述直孔的孔缘延伸形成,且所述锥孔的孔径沿第一方向呈渐宽设置。

专利状态

基础信息

专利号
CN202011245345.5
申请日
2020-11-10
公开日
2021-01-22
公开号
CN112250029A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

王小平 曹万 杨军 洪鹏

申请人

武汉飞恩微电子有限公司

申请人地址

430000 湖北省武汉市东湖开发区高新大道818号医疗器械园B12栋3楼

专利摘要

本发明提供一种压力传感器、基板结构及其制造方法,该用于压力传感器的基板结构包括基板,所述基板贯设有压力孔,所述压力孔包括沿第一方向布置的直孔和锥孔,所述锥孔自所述直孔的孔缘延伸形成,且所述锥孔的孔径沿第一方向呈渐宽设置。

相似专利技术