本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。
本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层,在基底层上实现多层互联结构,优化走线布局,减小寄生电容,便于后续和外部电路之间的连接;器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙,硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极;硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。
本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并,避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染,同时可实现双面电极制作,为非平面运动信号的检测提供可能。
周斌 陈志勇 王月 邢博文 魏琦 张嵘
清华大学
100084 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
本发明公开了一种单片六轴IMU的双面电极制作及圆片级真空封装方法。
本发明方法所形成的整体结构包括基底层、器件层和盖帽层,在基底层上实现多层互联结构,优化走线布局,减小寄生电容,便于后续和外部电路之间的连接;器件层包括敏感结构、硅柱以及硅墙,硅柱用于连接盖帽层上的与基底层金属电极;硅墙分别与基底层和盖帽层键合形成真空封闭腔室。
本发明方法将真空封装与MEMS敏感结构的加工合并,避免对裸芯片二次真空封装时可能带来的污染,同时可实现双面电极制作,为非平面运动信号的检测提供可能。