提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)组合物，使用所述组合物的方法，和使用所述组合物的系统。
所述组合物包含磨料颗粒，和两个不同组的化学添加剂：非离子有机表面活性剂分子，其包括通过脱水山梨糖醇的乙氧基化形成的聚山梨醇酯型表面活性剂，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。
所述组合物提供了高氧化硅去除速率(RR)和抑制的SiN去除速率(RR)。
所述组合物提供了良好的图案性能，其以合理的DF提供期望的氧化硅RR，且根据毯覆式晶片数据以甚至更高的DF显示高SiN RR抑制。

J·D·罗斯 史晓波 周鸿君 K·P·穆瑞拉

弗萨姆材料美国有限责任公司

美国亚利桑那州

提供了浅沟槽隔离(STI)化学机械平面化(CMP)组合物，使用所述组合物的方法，和使用所述组合物的系统。
所述组合物包含磨料颗粒，和两个不同组的化学添加剂：非离子有机表面活性剂分子，其包括通过脱水山梨糖醇的乙氧基化形成的聚山梨醇酯型表面活性剂，和在同一分子中具有多个羟基官能团的非离子有机分子。
所述组合物提供了高氧化硅去除速率(RR)和抑制的SiN去除速率(RR)。
所述组合物提供了良好的图案性能，其以合理的DF提供期望的氧化硅RR，且根据毯覆式晶片数据以甚至更高的DF显示高SiN RR抑制。