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专利摘要

与薄膜层分析有关的设备包括在其间具有腔体(104)的两个层结构(100,102),以及穿过层结构中的一个(102)达到腔体(104)的开口(110),所述腔体(104)构造为通过开口(110)接收用于在腔体(104)内形成薄膜层(900)的材料。
两个层结构(100,102)中的至少一个包括用于与薄膜层(900)有关的分析的至少一个位置标记(108)。

专利状态

基础信息

专利号
CN201780025310.0
申请日
2017-04-25
公开日
2019-03-01
公开号
CN109416247A
主分类号
/C/C23/ 化学;冶金
标准类别
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

R·普鲁宁 高峰

申请人

芬兰国家技术研究中心股份公司

申请人地址

芬兰埃斯堡市

专利摘要

与薄膜层分析有关的设备包括在其间具有腔体(104)的两个层结构(100,102),以及穿过层结构中的一个(102)达到腔体(104)的开口(110),所述腔体(104)构造为通过开口(110)接收用于在腔体(104)内形成薄膜层(900)的材料。
两个层结构(100,102)中的至少一个包括用于与薄膜层(900)有关的分析的至少一个位置标记(108)。

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