本发明提供了一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法，它包含以下步骤：1)将P型单晶硅片3置于铂片2和银片4之间，然后放入夹板5‑1和夹板5‑2之间，将铂丝8的一端置于铂片2和夹板5‑1之间，将铂丝9置于银片4和夹板5‑2之间，将螺栓6分别穿过夹板5‑1和夹板5‑2对应的圆孔11，再通过旋转螺母7将夹板5‑1和夹板5‑2固定，放入到容器1中；2)制备腐蚀液10；3)将步骤2)的腐蚀液10加入到步骤1)的容器1中；4)将步骤1)的铂丝8连接电源负极，铂丝9连接电源正极，通入电流；5)得到所有面均为多孔硅的样品，该方法解决了制备的多孔硅只占整个硅片表面一部分的问题。

汪舰 王童 胡保付 杜保立 刘丙国 徐坚

河南理工大学

454000 河南省焦作市高新区世纪大道2001号河南理工大学

本发明提供了一种电化学制备全表面发光的多孔硅的方法，它包含以下步骤：1)将P型单晶硅片3置于铂片2和银片4之间，然后放入夹板5‑1和夹板5‑2之间，将铂丝8的一端置于铂片2和夹板5‑1之间，将铂丝9置于银片4和夹板5‑2之间，将螺栓6分别穿过夹板5‑1和夹板5‑2对应的圆孔11，再通过旋转螺母7将夹板5‑1和夹板5‑2固定，放入到容器1中；2)制备腐蚀液10；3)将步骤2)的腐蚀液10加入到步骤1)的容器1中；4)将步骤1)的铂丝8连接电源负极，铂丝9连接电源正极，通入电流；5)得到所有面均为多孔硅的样品，该方法解决了制备的多孔硅只占整个硅片表面一部分的问题。