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专利摘要

本发明公开了介电润湿低电压响应的钛基氧化镧纳米花薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1,钛基底清洗脱脂处理;S2,钛基底电化学抛光;S3,前驱液的配置:将1重量份的六水合硝酸镧溶解于35~45重量份的异丙醇中,充分搅拌,得到氧化镧前驱液;S4,氧化镧的水热生长;S5,后处理:取出高压反应釜,自然冷却,取出钛基底吹干,从而获得了钛基底上水热生长的氧化镧纳米花薄膜。
本发明的制备方法简单、低成本、低温可控,且制备的氧化镧纳米花薄膜,结构新颖,介电润湿响应电压低,在液体透镜、介电润湿显示、液体输运系统等方面有较大的应用价值。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910685394.1
申请日
2019-07-27
公开日
2021-03-26
公开号
CN110359043B
主分类号
/C/C25/ 化学;冶金
标准类别
电解或电泳工艺;其所用设备
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王建 章建文 李燕 陈建彪 王成伟

申请人

西北师范大学

申请人地址

730000 甘肃省兰州市安宁区安宁东路967号

专利摘要

本发明公开了介电润湿低电压响应的钛基氧化镧纳米花薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1,钛基底清洗脱脂处理;S2,钛基底电化学抛光;S3,前驱液的配置:将1重量份的六水合硝酸镧溶解于35~45重量份的异丙醇中,充分搅拌,得到氧化镧前驱液;S4,氧化镧的水热生长;S5,后处理:取出高压反应釜,自然冷却,取出钛基底吹干,从而获得了钛基底上水热生长的氧化镧纳米花薄膜。
本发明的制备方法简单、低成本、低温可控,且制备的氧化镧纳米花薄膜,结构新颖,介电润湿响应电压低,在液体透镜、介电润湿显示、液体输运系统等方面有较大的应用价值。

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