本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。
本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。

葛道晗 魏金秀 李文兵 张立强 杨平 杨宁 张桢 苏兆亮

江苏大学

212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

本发明提供一种多孔硅‑银纳米枝晶结构及其制备方法，包括以下步骤：选择材料：选择P型硅片，将P型硅片切割成方形硅片；清洗样品：将切割后的方形硅片进行清洗；溶液配制：配制电化学腐蚀液，所述电化学腐蚀液由氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液组成，所述氢氟酸HF、二甲基甲酰胺DMF和硝酸银溶液按16:9:8的体积比混合；电化学腐蚀：将所述方形硅片放入盛有所述电化学腐蚀液的容器中，施加恒定的电流进行电化学腐蚀，得到多孔硅‑银纳米枝晶结构。
本发明直接将硝酸银溶液加入到腐蚀多孔硅的电化学腐蚀液中，能一步合成多孔硅‑银纳米枝晶结构，步骤简单，操作方便，用时短，能快速、高效的制备具有良好的SERS性能的基底。