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专利摘要

一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法,本发明涉及晶体合成装置和方法。
本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。
本发明的石英舟由籽晶阱区、放肩区、封闭区、开放区组成;其中籽晶阱区为一端密封的圆筒状;放肩区为圆台状;封闭区为圆筒状;开放区为半圆筒状;各区依次连接,并且它们的轴线在一条直线上。
利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法:将硒与镓加入到石英舟的封闭区,再将石英舟放在石英管中真空封装;在单温区炉合成多晶;然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长,得到GaSe单晶。
该单晶吸收系数小于0.1cm

专利状态

基础信息

专利号
CN201910196498.6
申请日
2019-03-15
公开日
2021-04-23
公开号
CN109868501B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

朱崇强 陈亮 杨春晖 马天慧 郝树伟 雷作涛

申请人

哈尔滨工业大学

申请人地址

150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

专利摘要

一种石英舟和利用该石英舟用于一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法,本发明涉及晶体合成装置和方法。
本发明是要解决现有的两步生长的单晶杂质高、成本高的技术问题。
本发明的石英舟由籽晶阱区、放肩区、封闭区、开放区组成;其中籽晶阱区为一端密封的圆筒状;放肩区为圆台状;封闭区为圆筒状;开放区为半圆筒状;各区依次连接,并且它们的轴线在一条直线上。
利用上述的石英舟一次完成硒化镓多晶合成与单晶生长的方法:将硒与镓加入到石英舟的封闭区,再将石英舟放在石英管中真空封装;在单温区炉合成多晶;然后将石英管直接放入垂直下降炉中生长,得到GaSe单晶。
该单晶吸收系数小于0.1cm

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