本发明公开了一种单晶生长炉，在炉壁上设置有：一组观察装置介入孔，用于接纳观察晶体生长情况的观察装置；一组激光加热装置介入孔，用于接纳加热消除多晶晶界的激光加热装置；以及一组保护件，所述保护件设置在所述激光加热装置介入孔位于炉壁内侧的一端，用于接纳及保护激光加热装置。
还公开了一种单晶生长方法包括：当观察装置发现晶界时，使用激光加热装置对晶界进行加热熔化。
通过实时监控及时发现晶界，通过激光加热熔化晶界区域，纠正生长过程，或者多晶控制在最终产品的最外层，大大提高成品率和产品质量，节约大量生产成本。

庞昊 谢雨凌

庞昊

201204 上海市浦东新区御桥路1679弄10号1003室

本发明公开了一种单晶生长炉，在炉壁上设置有：一组观察装置介入孔，用于接纳观察晶体生长情况的观察装置；一组激光加热装置介入孔，用于接纳加热消除多晶晶界的激光加热装置；以及一组保护件，所述保护件设置在所述激光加热装置介入孔位于炉壁内侧的一端，用于接纳及保护激光加热装置。
还公开了一种单晶生长方法包括：当观察装置发现晶界时，使用激光加热装置对晶界进行加热熔化。
通过实时监控及时发现晶界，通过激光加热熔化晶界区域，纠正生长过程，或者多晶控制在最终产品的最外层，大大提高成品率和产品质量，节约大量生产成本。