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物理
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专利名称
专利号
申请日期
专利状态
1 一种无铅压电单晶高频超声换能器及其制备方法 CN201710329558.8 2017-05-11 授权
2 基于弛豫铁电单晶薄膜的压电微机械超声换能器及其制备 CN202010306292.7 2020-04-17 审查中-实审
3 压电性单晶基板与支撑基板的接合体 CN201980026646.8 2019-02-13 审查中-实审
4 一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法 CN201910959359.4 2019-10-10 审查中-实审
5 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法 CN201810568142.6 2018-06-05 审查中-实审
6 一种电刺激诱导制备单晶的方法 CN202010043960.1 2020-01-15 审查中-实审
7 一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法 CN202011136290.4 2020-10-22 审查中-实审
8 单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法 CN201880087282.X 2018-12-21 发明公开
9 一种制备大面积铜Cu（111）单晶的方法 CN201810218065.1 2018-03-16 审查中-实审
10 用于生产硅单晶和多晶硅锭的方法 CN201280048056.3 2012-09-24 失效
11 制造半导体单晶的方法 CN201180017185.1 2011-03-28 审查中-公开
12 一种制备单晶的装置和碳化硅单晶的制备方法 CN201911370512.6 2019-12-26 有效专利
13 一种用于PVT法制备单晶的长晶炉及其应用 CN201911347904.0 2019-12-24 有效专利
14 一种金属砷单晶的制备方法 CN202010285916.1 2020-04-13 审查中-实审
15 一种大尺寸碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置 CN201911349995.1 2019-12-24 审查中-实审
16 一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置 CN201911349956.1 2019-12-24 审查中-实审
17 一种高质量碳化硅单晶的制备方法及其装置 CN202010361772.3 2020-04-30 有效专利
18 一种高质量碳化硅单晶、衬底及其高效制备方法 CN201911368211.X 2019-12-26 有效专利
19 碳化硅单晶生长装置 CN202010987523.5 2020-09-18 审查中-实审
20 一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜生长装置 CN201710650507.5 2017-08-02 授权
21 一种泡生法蓝宝石单晶炉用坩埚盖结构 CN202010707407.3 2020-07-22 审查中-实审
22 一种抑制泡生法蓝宝石单晶缩肩的冷却装置 CN202010708972.1 2020-07-22 审查中-实审
23 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途 CN201711296746.1 2017-12-08 审查中-公开
24 一种区熔硅单晶的加持结构 CN201922248626.5 2019-12-11 有效专利
25 一种大直径区熔硅单晶自动收尾方法及系统 CN201811565919.X 2018-12-20 有效专利
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