本申请公开了一种制备单晶的装置和碳化硅单晶的制备方法，属于半导体材料领域。
该制备单晶的装置包括坩埚、加热线圈组和保温结构，所述坩埚形成生长腔，所述生长腔包括盛放原料的原料区和设置籽晶的长晶区，所述加热线圈组围绕所述坩埚的侧壁设置，所述加热线圈组包括与所述原料区对应设置的第一线圈组和，与所述长晶区对应设置的第二线圈组，沿自原料至籽晶的方向，所述第二线圈组的内径增大。
该单晶生长装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。

高宇晗 方帅 周敏 姜兴刚 窦文涛 宗艳民

山东天岳先进科技股份有限公司

250118 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

本申请公开了一种制备单晶的装置和碳化硅单晶的制备方法，属于半导体材料领域。
该制备单晶的装置包括坩埚、加热线圈组和保温结构，所述坩埚形成生长腔，所述生长腔包括盛放原料的原料区和设置籽晶的长晶区，所述加热线圈组围绕所述坩埚的侧壁设置，所述加热线圈组包括与所述原料区对应设置的第一线圈组和，与所述长晶区对应设置的第二线圈组，沿自原料至籽晶的方向，所述第二线圈组的内径增大。
该单晶生长装置不仅可以调节生长单晶的生长腔内径向温度梯度；并且可以在降低径向温度梯度的同时，可以保证具有一定的轴向温度梯度，而可以高效率的制得高质量的单晶。