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专利摘要

本发明公开了一种金属砷单晶的制备方法,在氧含量<1ppm和含水率<1ppm的密闭容器中,将单质砷和含碘调质剂混合后置于高温反应区域进行反应,反应生成的砷蒸气去冷凝结晶区域冷凝结晶即得金属砷单晶;所述的含碘调质剂为单质碘和/或三碘化砷。
本发明通过添加含碘调质剂,在结晶过程调整金属砷的表面结构,控制金属砷择优生长,使其暴露的生长晶面结构主要以(000l)晶面族为主,该晶面族中晶面具有更低的表面能,进而具有更低的氧化倾向和氧化程度,可显著提高金属砷的抗氧化能力,提升金属砷使用的贮存能力。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010285916.1
申请日
2020-04-13
公开日
2020-07-28
公开号
CN111455460A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

梁彦杰 刘振兴 柴立元 邓方杰 杨志辉 闵小波 刘恢 周艺伟

申请人

中南大学

申请人地址

410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号

专利摘要

本发明公开了一种金属砷单晶的制备方法,在氧含量<1ppm和含水率<1ppm的密闭容器中,将单质砷和含碘调质剂混合后置于高温反应区域进行反应,反应生成的砷蒸气去冷凝结晶区域冷凝结晶即得金属砷单晶;所述的含碘调质剂为单质碘和/或三碘化砷。
本发明通过添加含碘调质剂,在结晶过程调整金属砷的表面结构,控制金属砷择优生长,使其暴露的生长晶面结构主要以(000l)晶面族为主,该晶面族中晶面具有更低的表面能,进而具有更低的氧化倾向和氧化程度,可显著提高金属砷的抗氧化能力,提升金属砷使用的贮存能力。

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