本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法,涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。
本发明通过运用毛细管力和温度梯度,在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜,从而控制钙钛矿晶体的形貌,使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配,提高单晶钙钛矿薄膜的质量。
与现有技术相比,本发明操作简单,薄膜形貌和厚度可控,容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜;同时,单晶钙钛矿薄膜生长周期短,降低了成本。
赵晋津 张颖 欧云 钟高阔 刘金喜 刘正浩 李明 吴竞伟 赵泽文 贾春媚 苏晓
石家庄铁道大学 中国科学院深圳先进技术研究院
050043 河北省石家庄市北二环东路17号石家庄铁道大学
本发明公开了一种有机无机金属卤化物钙钛矿单晶薄膜制备方法,涉及外延生成单晶钙钛矿薄膜技术领域。
本发明通过运用毛细管力和温度梯度,在晶格匹配单晶基底片上原位生长厚度可控的钙钛矿单晶薄膜,从而控制钙钛矿晶体的形貌,使单晶钙钛矿薄膜与单晶基底片晶格匹配,提高单晶钙钛矿薄膜的质量。
与现有技术相比,本发明操作简单,薄膜形貌和厚度可控,容易获得与单晶基底片晶格匹配的优质单晶薄膜;同时,单晶钙钛矿薄膜生长周期短,降低了成本。