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专利摘要

本发明公开了一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜装置,包括主槽和固定槽,主槽内部放置有固定槽,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力,主槽底部边缘设有圆角,可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积,便于设备使用后的清洗,固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,可以同时进行两组薄膜生长实验,避免偶然因素对薄膜生长产生影响。

专利状态

基础信息

专利号
CN201710650507.5
申请日
2017-08-02
公开日
2019-07-19
公开号
CN107400918B
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

赵晋津 孔国丽 王晨 欧云 甄云策 刘正浩 苏晓 王一

申请人

石家庄铁道大学 中国科学院深圳先进技术研究院

申请人地址

050043 河北省石家庄市北二环东路17号石家庄铁道大学

专利摘要

本发明公开了一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜装置,包括主槽和固定槽,主槽内部放置有固定槽,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力,主槽底部边缘设有圆角,可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积,便于设备使用后的清洗,固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,可以同时进行两组薄膜生长实验,避免偶然因素对薄膜生长产生影响。

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