本申请公开了一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置，属于半导体材料制备领域。
该制备方法包括：将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔，将籽晶柱安装在坩埚内，组装后放入长晶炉；升高长晶炉温度，使得原料升华后的升华气体穿过夹层内侧壁并沿径向气相传输至籽晶柱表面长晶得掺杂碳化硅单晶；所述包括碳化硅，和；原料还包括固相掺杂剂和/或，向坩埚内通入的气相掺杂剂。
该方法可以制得任意体积的掺杂碳化硅单晶，尤其体积大和厚度高，长晶效率高，切割的衬底片数多；该方法制得的掺杂碳化硅单晶的零微管、螺位错低于100cm

高超 李霞 宁秀秀 张九阳 宗艳民

山东天岳先进材料科技有限公司

250100 山东省济南市槐荫区天岳南路99号

本申请公开了一种掺杂碳化硅单晶、衬底及制备方法和使用的装置，属于半导体材料制备领域。
该制备方法包括：将原料装入坩埚侧壁的夹层形成的原料腔，将籽晶柱安装在坩埚内，组装后放入长晶炉；升高长晶炉温度，使得原料升华后的升华气体穿过夹层内侧壁并沿径向气相传输至籽晶柱表面长晶得掺杂碳化硅单晶；所述包括碳化硅，和；原料还包括固相掺杂剂和/或，向坩埚内通入的气相掺杂剂。
该方法可以制得任意体积的掺杂碳化硅单晶，尤其体积大和厚度高，长晶效率高，切割的衬底片数多；该方法制得的掺杂碳化硅单晶的零微管、螺位错低于100cm