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专利摘要

本实用新型提供一种基板台、沉积部和微波等离子化学气相沉积装置,该基板台包括基板、两个以上热电偶、两个以上加热单元和控制单元;所述基板底部设有两个以上凹槽,所述热电偶和所述加热单元设于所述凹槽内;所述控制单元与所述热电偶和所述加热单元连通。
本实用新型降低基板的温差,使其更适合多晶或单晶的制备。

专利状态

基础信息

专利号
CN202020865177.9
申请日
2020-05-21
公开日
2021-01-08
公开号
CN212316283U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

王垒 温简杰

申请人

上海昌润极锐超硬材料有限公司

申请人地址

201111 上海市闵行区陪昆路206号第18幢101室

专利摘要

本实用新型提供一种基板台、沉积部和微波等离子化学气相沉积装置,该基板台包括基板、两个以上热电偶、两个以上加热单元和控制单元;所述基板底部设有两个以上凹槽,所述热电偶和所述加热单元设于所述凹槽内;所述控制单元与所述热电偶和所述加热单元连通。
本实用新型降低基板的温差,使其更适合多晶或单晶的制备。

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