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专利摘要

本实用新型实施例涉及晶体材料生长技术领域,提供了一种微米晶气相生长装置。
微米晶气相生长装置包括:反应腔,反应腔内设置有原料棒;光束整形元器件,每个光束整形元器件上安装有激光输出头,多个光束整形元器件围绕反应腔设置并朝向原料棒定位;其中,原料棒的顶端位于经由多个光束整形元器件调整后汇聚形成的激光聚焦光斑处。
本实用新型实施例提供的微米晶气相生长装置,通过设置光束整形元器件实现了光强分布的精确调控,同时将分散的光束调整成准直光束,通过多个光束整形元器件的光束聚焦,实现了聚焦光斑形状;通过设置激光输出头,将热源改为激光,增大了热源的加热功率,可实现高分解温度微米晶的生长,显著地提高了微米晶的生长速度。

专利状态

基础信息

专利号
CN202020790915.8
申请日
2020-05-13
公开日
2021-01-01
公开号
CN212270233U
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
有效专利

发明人

蒋毅坚 廖逸民 闫胤洲 王强 涂冶

申请人

北京工业大学

申请人地址

100022 北京市朝阳区平乐园100号

专利摘要

本实用新型实施例涉及晶体材料生长技术领域,提供了一种微米晶气相生长装置。
微米晶气相生长装置包括:反应腔,反应腔内设置有原料棒;光束整形元器件,每个光束整形元器件上安装有激光输出头,多个光束整形元器件围绕反应腔设置并朝向原料棒定位;其中,原料棒的顶端位于经由多个光束整形元器件调整后汇聚形成的激光聚焦光斑处。
本实用新型实施例提供的微米晶气相生长装置,通过设置光束整形元器件实现了光强分布的精确调控,同时将分散的光束调整成准直光束,通过多个光束整形元器件的光束聚焦,实现了聚焦光斑形状;通过设置激光输出头,将热源改为激光,增大了热源的加热功率,可实现高分解温度微米晶的生长,显著地提高了微米晶的生长速度。

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