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专利摘要

本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法,针对于动态气氛的大流量特性,采用了电控碟阀,实现压力控制的快速性。
此外,针对传统的PID控制模式,在上位机控制系统中,将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数调节中,根据压力的测量值和目标值自动修正控压仪表的PID三个控制参数,不仅可省去依赖于工艺人员的常规PID调节过程,而且还能保证生长过程中全程压力范围内任意数值的压力控制的精准性,本发明特别适用于大腔室大气流环境下的晶体生长过程中快速精准的压力控制。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010965699.0
申请日
2020-09-15
公开日
2021-01-12
公开号
CN112210825A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

于凯 陈建丽 洪颖 窦英 张皓 高飞 郭森 李晖 王利杰

申请人

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址

300220 天津市河西区洞庭路26号

专利摘要

本发明公开了一种大流量气相法晶体生长的压力自适应模糊控制方法,针对于动态气氛的大流量特性,采用了电控碟阀,实现压力控制的快速性。
此外,针对传统的PID控制模式,在上位机控制系统中,将模糊控制算法应用到控压仪表的PID参数调节中,根据压力的测量值和目标值自动修正控压仪表的PID三个控制参数,不仅可省去依赖于工艺人员的常规PID调节过程,而且还能保证生长过程中全程压力范围内任意数值的压力控制的精准性,本发明特别适用于大腔室大气流环境下的晶体生长过程中快速精准的压力控制。

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