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专利摘要

本发明公开了一种电刺激诱导制备单晶的方法,其包括步骤:将有机半导体材料溶解在极性溶剂中,得到样品溶液,其后,将所述样品溶液滴加在富有原子级重复晶格表面的导电基材上,采用扫描隧道显微镜对所述样品溶液施加偏压及电刺激制备得到单晶。
本发明无需高温及高压环境,仅在室温及大气压的条件下利用电刺激来制备二维单晶,通过扫描隧道显微镜施加的偏压和电流刺激,即能够实现在固液界面轻松地制备单晶,进一步地,还可利用只有在电流刺激下才能使制备的单晶稳定存在于固液界面的性质,控制单体以需要的表面形态构象而排列的问题。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010043960.1
申请日
2020-01-15
公开日
2020-05-19
公开号
CN111172594A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

李昇隆 曾兴明 乐雅 陈誉

申请人

深圳大学

申请人地址

518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

专利摘要

本发明公开了一种电刺激诱导制备单晶的方法,其包括步骤:将有机半导体材料溶解在极性溶剂中,得到样品溶液,其后,将所述样品溶液滴加在富有原子级重复晶格表面的导电基材上,采用扫描隧道显微镜对所述样品溶液施加偏压及电刺激制备得到单晶。
本发明无需高温及高压环境,仅在室温及大气压的条件下利用电刺激来制备二维单晶,通过扫描隧道显微镜施加的偏压和电流刺激,即能够实现在固液界面轻松地制备单晶,进一步地,还可利用只有在电流刺激下才能使制备的单晶稳定存在于固液界面的性质,控制单体以需要的表面形态构象而排列的问题。

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