本发明公开了一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法。
所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，包括：提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向[0001]；使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第一沟槽结构，以进行第一次开槽，所述第一沟槽结构的凹部侧壁平行于碳化硅单晶A面(1120)或M面(1100)，底壁平行于碳化硅单晶C面(0001)；于所述第一沟槽结构表面生长第一碳化硅晶体，以进行第一次修复，得到所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底。
基于本发明，能够大幅降低碳化硅单晶衬底的缺陷密度，有利于提高采用该衬底片制备的器件质量，提高低质量碳化硅单晶衬底的经济价值。

马远 薛卫明 潘尧波

中电化合物半导体有限公司

315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼105-1室

本发明公开了一种低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法。
所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底的制备方法，包括：提供一待处理的碳化硅单晶衬底，晶向为C向[0001]；使用电解研磨工艺于所述待处理的碳化硅单晶衬底上形成具有凹部和凸部的第一沟槽结构，以进行第一次开槽，所述第一沟槽结构的凹部侧壁平行于碳化硅单晶A面(1120)或M面(1100)，底壁平行于碳化硅单晶C面(0001)；于所述第一沟槽结构表面生长第一碳化硅晶体，以进行第一次修复，得到所述低缺陷密度碳化硅单晶衬底。
基于本发明，能够大幅降低碳化硅单晶衬底的缺陷密度，有利于提高采用该衬底片制备的器件质量，提高低质量碳化硅单晶衬底的经济价值。