本发明提供了一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基片台，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上方紧贴着基片台表面有微波激发的一球形等离子体，所述基片台表面轴对称中心处有一个凹坑，该凹坑中能放置一个用于钻石生长的晶托。
凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接供气系统，细管中的气体流量通过气体流量计进行控制。
该方案能避免晶种侧面堆积的非金刚石碳影响到晶种上表面钻石的正常生长。

满卫东 龚闯 朱长征 吴剑波

上海征世科技有限公司

201799 上海市青浦区华浦路500号2幢西侧

本发明提供了一种用微波等离子体技术生长单晶钻石的基片台，包含一呈圆形的微波等离子体基片台，所述基片台的上方紧贴着基片台表面有微波激发的一球形等离子体，所述基片台表面轴对称中心处有一个凹坑，该凹坑中能放置一个用于钻石生长的晶托。
凹坑底部环绕晶托有一环形的金属细管，细管上有小孔，细管连接供气系统，细管中的气体流量通过气体流量计进行控制。
该方案能避免晶种侧面堆积的非金刚石碳影响到晶种上表面钻石的正常生长。