本发明公开了一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，它包含以下步骤：（1）、将晶体放入晶体生长炉内；（2）、密封晶体生长炉内并进行真空处理直至炉内真空度达到5-10毫托；（3）、往晶体生长炉中缓慢充入HE和AR的体积比为1:1.5-3的HE-AR惰性混合气体排杂；（4）、采用加热器对晶体生长炉开始加热，进行HEM晶体生长，炉内温度始终不低于2000℃，在晶体生长过程中，持续充入HE-AR惰性混合气体直至晶体生长完成。
本发明的有益效果是：利用HE-AR惰性混合气体实现了HEM晶体生长，晶体的生长效果好，规避了国际上氦气供应的问题，同时节约了生产成本，减少了采购风险。

季泳 张龚磊

贵阳嘉瑜光电科技咨询中心

550004 贵州省贵阳市高新开发区金阳知识产业园253室

本发明公开了一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，它包含以下步骤：（1）、将晶体放入晶体生长炉内；（2）、密封晶体生长炉内并进行真空处理直至炉内真空度达到5-10毫托；（3）、往晶体生长炉中缓慢充入HE和AR的体积比为1:1.5-3的HE-AR惰性混合气体排杂；（4）、采用加热器对晶体生长炉开始加热，进行HEM晶体生长，炉内温度始终不低于2000℃，在晶体生长过程中，持续充入HE-AR惰性混合气体直至晶体生长完成。
本发明的有益效果是：利用HE-AR惰性混合气体实现了HEM晶体生长，晶体的生长效果好，规避了国际上氦气供应的问题，同时节约了生产成本，减少了采购风险。