本实用新型属于新材料技术领域，具体涉及一种新型碳化硅晶体生长装置，该装置包括生长腔体，腔体内设置有保温桶，保温桶外侧设置有感应线圈，保温桶内设置有坩埚，生长腔体上侧设置有籽晶轴升降旋转装置，该装置下端设置有伸入坩埚内的籽晶轴，所述籽晶轴侧面设置有惰性气体管道；采用这种结构的生长装置，在整个生长过程中，惰性气体通过惰性气体管道通入腔体内，且直接对籽晶轴进行冷却，促使籽晶轴周围产生更大的温度梯度，提高晶体生长速度同时实现了惰性气体作为保护气体起到保护晶体的目的。

朱灿 王希杰 宗艳民 刘莹 张志海

山东天岳晶体材料有限公司

250118 山东省济南市槐荫区美里路中段1929号

本实用新型属于新材料技术领域，具体涉及一种新型碳化硅晶体生长装置，该装置包括生长腔体，腔体内设置有保温桶，保温桶外侧设置有感应线圈，保温桶内设置有坩埚，生长腔体上侧设置有籽晶轴升降旋转装置，该装置下端设置有伸入坩埚内的籽晶轴，所述籽晶轴侧面设置有惰性气体管道；采用这种结构的生长装置，在整个生长过程中，惰性气体通过惰性气体管道通入腔体内，且直接对籽晶轴进行冷却，促使籽晶轴周围产生更大的温度梯度，提高晶体生长速度同时实现了惰性气体作为保护气体起到保护晶体的目的。