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专利摘要

一种磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法。
磷化铟衬底具有第一和第二主表面;第一主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra1,在四个位置处具有表面粗糙度Ra2至Ra5,四个位置沿第一主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处,表面粗糙度Ra1至Ra5的平均值m1是0.4nm或更小并且标准偏差σ1是平均值m1的10%或更小;第二主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra6,在四个位置处具有表面粗糙度Ra7至Ra10,四个位置沿第二主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处,表面粗糙度Ra6至Ra10的平均值m2是大于0.4nm且3nm或更小并且标准偏差σ2是平均值m2的10%或更小。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010677512.7
申请日
2015-12-07
公开日
2020-11-17
公开号
CN111952150A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

藤原新也 樋口恭明

申请人

住友电气工业株式会社

申请人地址

日本大阪府大阪市

专利摘要

一种磷化铟衬底和制造磷化铟衬底的方法。
磷化铟衬底具有第一和第二主表面;第一主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra1,在四个位置处具有表面粗糙度Ra2至Ra5,四个位置沿第一主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处,表面粗糙度Ra1至Ra5的平均值m1是0.4nm或更小并且标准偏差σ1是平均值m1的10%或更小;第二主表面在中心位置处具有表面粗糙度Ra6,在四个位置处具有表面粗糙度Ra7至Ra10,四个位置沿第二主表面的外边缘等距地布置且位于从外边缘向内5mm的距离处,表面粗糙度Ra6至Ra10的平均值m2是大于0.4nm且3nm或更小并且标准偏差σ2是平均值m2的10%或更小。

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