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专利摘要

本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法,包括以下步骤:a)将配制好的钽酸锂原料通过等静压压机成型为尺寸Φ220*50mm的圆饼;b)将成型好的钽酸锂原料放入坩埚内,升温速率控制在300‑400℃/h,加热至1450~1500℃使钽酸锂原料熔化形成熔融液;c)将籽晶下降到与熔融液接触,转数控制在10‑12rpm/min,籽晶缩颈至2‑3mm,进入自动生长;d)晶体的降温速率控制在50‑60℃/h,在晶体降温至100℃时,通过除静电装置对晶体进行除静电处理。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010913670.8
申请日
2020-09-03
公开日
2020-12-08
公开号
CN112048767A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

张忠伟 徐秋峰 张鸿 陈晓强 张坚

申请人

天通控股股份有限公司

申请人地址

314412 浙江省嘉兴市海宁市盐官镇建设路1号

专利摘要

本发明涉及压电晶体技术领域,尤其是一种大尺寸钽酸锂晶体的制备方法,包括以下步骤:a)将配制好的钽酸锂原料通过等静压压机成型为尺寸Φ220*50mm的圆饼;b)将成型好的钽酸锂原料放入坩埚内,升温速率控制在300‑400℃/h,加热至1450~1500℃使钽酸锂原料熔化形成熔融液;c)将籽晶下降到与熔融液接触,转数控制在10‑12rpm/min,籽晶缩颈至2‑3mm,进入自动生长;d)晶体的降温速率控制在50‑60℃/h,在晶体降温至100℃时,通过除静电装置对晶体进行除静电处理。

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