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专利摘要

本发明公开了一种制备一元或二元图案化胶体光子晶体的方法。
本发明在图案化的基底上生长胶体光子晶体薄膜,然后通过超声震荡选择性地剔除整个胶体光子晶体薄膜的非图案部分就得到一元图案化胶体光子晶体。
在疏水化的图案化胶体光子晶体基础之上,继续沉积另一种胶体光子晶体就可以得到二元图案化胶体光子晶体。
本发明提供的方法简单易行,可大面积制备最高图案精度可达10微米以下的任意图案的一元及二元胶体光子晶体。

专利状态

基础信息

专利号
CN201110025331.7
申请日
2011-01-24
公开日
2011-05-18
公开号
CN102061520A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-公开

发明人

宋恺 丁涛 杨国强 佟振合

申请人

中国科学院化学研究所

申请人地址

100080 北京市海淀区中关村北一街2号

专利摘要

本发明公开了一种制备一元或二元图案化胶体光子晶体的方法。
本发明在图案化的基底上生长胶体光子晶体薄膜,然后通过超声震荡选择性地剔除整个胶体光子晶体薄膜的非图案部分就得到一元图案化胶体光子晶体。
在疏水化的图案化胶体光子晶体基础之上,继续沉积另一种胶体光子晶体就可以得到二元图案化胶体光子晶体。
本发明提供的方法简单易行,可大面积制备最高图案精度可达10微米以下的任意图案的一元及二元胶体光子晶体。

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