一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法,属于晶硅薄膜太阳能电池领域。
其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。
首先,采用等离子增强型化学气相沉积法,在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜,通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例,在薄膜内部引入不同含量的结晶成分;随后,将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时,薄膜内的非晶成分逐渐晶化,最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。
本发明中,由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分,固相晶化过程中不需要形核,有效降低了薄膜的晶化温度,缩短了晶化所需时间。
张铭 王涛 严辉 沈华龙 王波 宋雪梅 朱满康 侯育冬 刘晶冰 汪浩
北京工业大学
100124 北京市朝阳区平乐园100号
一种低成本高效多晶硅基薄膜的制备方法,属于晶硅薄膜太阳能电池领域。
其工艺流程包括薄膜沉积和固相晶化两部分。
首先,采用等离子增强型化学气相沉积法,在玻璃衬底上生长500-2000nm的前驱体硅基薄膜,通过调节反应气体中硅烷与氢气的比例,在薄膜内部引入不同含量的结晶成分;随后,将薄膜样品在500-600℃下退火处理4-12小时,薄膜内的非晶成分逐渐晶化,最终得到结晶性良好的多晶硅薄膜材料。
本发明中,由于在前驱体硅基薄膜内引入结晶成分,固相晶化过程中不需要形核,有效降低了薄膜的晶化温度,缩短了晶化所需时间。