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专利摘要

本发明涉及一种多晶硅铸锭炉用碳材料构件的防碳污染涂层及其制备工艺。
其成份为碳化硅,其制备工艺为通过硅-碳相互作用在碳材料表面原位生长,包括在碳材料表面施加均匀分布的硅源,然后在高温下保温,使表面发生硅-碳相互作用而原位形成碳化硅层。
本发明工艺可制得致密、与碳材料结合良好的碳化硅晶体涂层,能够有效防止多晶硅铸锭生产过程中碳材料耐温结构件对硅材料的污染,降低多晶硅铸锭中碳含量。

专利状态

基础信息

专利号
CN201110242948.4
申请日
2011-08-23
公开日
2012-04-11
公开号
CN102409405A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

周浪

申请人

周浪

申请人地址

330031 江西省南昌市学府大道999号南昌大学材料学院

专利摘要

本发明涉及一种多晶硅铸锭炉用碳材料构件的防碳污染涂层及其制备工艺。
其成份为碳化硅,其制备工艺为通过硅-碳相互作用在碳材料表面原位生长,包括在碳材料表面施加均匀分布的硅源,然后在高温下保温,使表面发生硅-碳相互作用而原位形成碳化硅层。
本发明工艺可制得致密、与碳材料结合良好的碳化硅晶体涂层,能够有效防止多晶硅铸锭生产过程中碳材料耐温结构件对硅材料的污染,降低多晶硅铸锭中碳含量。

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