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专利摘要

本发明涉及一种大面积无缺陷二维胶体单晶的制备及其无扰转移方法。
该二维胶体单晶系胶体粒子在水/气界面自组装形成,具有优异的可转移性;其尺寸可达数平方厘米且无任何缺陷。
本发明还提供此种二维胶体单晶的一种改进的无扰转移方法,通过该转移方法,可以在不对胶体单晶产生明显扰动的情况下实现向不同基底表面的转移。
本发明的二维胶体单晶制备方法简单高效,转移方法对基底表面的亲疏水性和曲率没有选择性,应用前景广泛。

专利状态

基础信息

专利号
CN201310740566.3
申请日
2013-12-27
公开日
2014-04-02
公开号
CN103696019A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
授权

发明人

邱东 孟晓辉

申请人

中国科学院化学研究所

申请人地址

100190 北京市海淀区中关村北一街2号

专利摘要

本发明涉及一种大面积无缺陷二维胶体单晶的制备及其无扰转移方法。
该二维胶体单晶系胶体粒子在水/气界面自组装形成,具有优异的可转移性;其尺寸可达数平方厘米且无任何缺陷。
本发明还提供此种二维胶体单晶的一种改进的无扰转移方法,通过该转移方法,可以在不对胶体单晶产生明显扰动的情况下实现向不同基底表面的转移。
本发明的二维胶体单晶制备方法简单高效,转移方法对基底表面的亲疏水性和曲率没有选择性,应用前景广泛。

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