目录

专利摘要

本发明公开一种简单消除LBO晶体浮晶的方法,采用碳酸锂、硼酸为原料,铂金坩埚和熔盐炉为生长装置,当熔体中刚出现浮晶,且浮晶呈点状时,利用一束强度可调的绿光激光,消除浮晶,整个过程晶体照常生长,该方法具有简单高效的特点。

专利状态

基础信息

专利号
CN201911180848.6
申请日
2019-11-27
公开日
2020-04-10
公开号
CN110983441A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

王昌运 陈伟 谢发利 张星 陈秋华

申请人

福建福晶科技股份有限公司

申请人地址

350003 福建省福州市软件大道89号F区9号楼

专利摘要

本发明公开一种简单消除LBO晶体浮晶的方法,采用碳酸锂、硼酸为原料,铂金坩埚和熔盐炉为生长装置,当熔体中刚出现浮晶,且浮晶呈点状时,利用一束强度可调的绿光激光,消除浮晶,整个过程晶体照常生长,该方法具有简单高效的特点。

相似专利技术