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专利摘要

本发明公布了一种非线性晶体防潮解的方法,首先将非线性倍频晶体进行θ

专利状态

基础信息

专利号
CN202010476227.9
申请日
2020-05-29
公开日
2020-09-08
公开号
CN111636099A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
发明公开

发明人

校金涛 陈基平

申请人

福建科彤光电技术有限公司

申请人地址

350014 福建省福州市晋安区福光路71号(福兴经济开发区)

专利摘要

本发明公布了一种非线性晶体防潮解的方法,首先将非线性倍频晶体进行θ

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