专利摘要
本发明公布了一种非线性晶体防潮解的方法,首先将非线性倍频晶体进行θ
专利状态
基础信息
- 专利号
- CN202010476227.9
- 申请日
- 2020-05-29
- 公开日
- 2020-09-08
- 公开号
- CN111636099A
- 主分类号
- /C/C30/ 化学;冶金
- 标准类别
- 晶体生长
- 批准发布部门
- 国家知识产权局
- 专利状态
- 发明公开
发明人
校金涛 陈基平
申请人
福建科彤光电技术有限公司
申请人地址
350014 福建省福州市晋安区福光路71号(福兴经济开发区)
专利摘要
本发明公布了一种非线性晶体防潮解的方法,首先将非线性倍频晶体进行θ
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