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专利摘要

本发明涉及用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅铸锭时增加p-型材料的量的方法,其中硅熔体初始含有0.12ppma至5ppma硼和0.04ppma至10ppma磷。
单晶的提拉和多晶硅铸锭的定向固化在低于600mbar的压力下进行,将惰性气体连续供应至硅熔体的表面并从硅熔体的表面连续除去,从而在固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷,导致在硅单晶的提拉期间和多晶硅铸锭的定向固化期间硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。

专利状态

基础信息

专利号
CN201280048056.3
申请日
2012-09-24
公开日
2014-08-06
公开号
CN103975097A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
失效

发明人

R.特罗斯塔德 K.弗里伊斯塔德 A.K.索兰德

申请人

埃尔凯姆太阳能公司

申请人地址

挪威克里斯蒂安桑

专利摘要

本发明涉及用于当从容器中含有的硅熔体提拉硅单晶和定向固化多晶硅铸锭时增加p-型材料的量的方法,其中硅熔体初始含有0.12ppma至5ppma硼和0.04ppma至10ppma磷。
单晶的提拉和多晶硅铸锭的定向固化在低于600mbar的压力下进行,将惰性气体连续供应至硅熔体的表面并从硅熔体的表面连续除去,从而在固化工艺期间从熔融的硅连续除去磷,导致在硅单晶的提拉期间和多晶硅铸锭的定向固化期间硅熔体中硼和磷之间的比例基本上恒定。

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