本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。
所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。
保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。

郭少聪 王军 陈小芳 周维 蔡凯 黄晓升 崔孟华

比亚迪股份有限公司

518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号

本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。
所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。
保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。