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专利摘要

本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法,将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中,溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势,对碘化铯溶液加热可以得到籽晶,然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。
本发明操作方便,所用原料成本低廉,能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。
本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合,能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。
本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高,透明度高且具备独特的光致发光性能,该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810568142.6
申请日
2018-06-05
公开日
2019-12-13
公开号
CN110565165A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

徐闰 洪峰 朱荣云 刘风采 倪超伟 张笑铮 蔡江 孟华 王文贞 徐飞

申请人

上海大学

申请人地址

200444 上海市宝山区上大路99号

专利摘要

本发明公开了一种基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法,将碘化铯在二甲基亚砜(DMSO)中,溶解度会随着温度的上升而呈现降低的趋势,对碘化铯溶液加热可以得到籽晶,然后把籽晶放进特殊的玻璃装置里面生长可以得到质量较好的碘化铯单晶薄片。
本发明操作方便,所用原料成本低廉,能够从碘化铯溶液来析出高质量的碘化铯单晶薄片。
本发明采用溶液析出法和模具约束调控法相结合,能够制备出尺寸可控、透光度和出光效率优异的碘化铯单晶薄片。
本发明生长出来的碘化铯单晶薄片质量高,透明度高且具备独特的光致发光性能,该制备方法制备出来的单晶薄片可搭配硅基光电二极管可制作出优异性能的平板X射线探测器。

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