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专利摘要

本申请的波长转换构件具备:基板;荧光体层,其具有包含氧化锌的基体和埋入基体中的荧光体粒子,且通过基板来支撑;电介体层,其配置于基板与荧光体层之间;和保护层,其配置于荧光体层与电介体层之间,等电点为7以上。
基板的主表面例如包含第1区域和第2区域。
荧光体层例如将第1区域及第2区域中的仅第1区域覆盖。

专利状态

基础信息

专利号
CN201880053482.3
申请日
2018-08-07
公开日
2020-04-21
公开号
CN111051933A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

滨田贵裕 杉尾幸彦 大林孝志 长崎纯久

申请人

松下知识产权经营株式会社

申请人地址

日本大阪府

专利摘要

本申请的波长转换构件具备:基板;荧光体层,其具有包含氧化锌的基体和埋入基体中的荧光体粒子,且通过基板来支撑;电介体层,其配置于基板与荧光体层之间;和保护层,其配置于荧光体层与电介体层之间,等电点为7以上。
基板的主表面例如包含第1区域和第2区域。
荧光体层例如将第1区域及第2区域中的仅第1区域覆盖。

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