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专利摘要

本发明一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法,操作简单,成功率高,能够原位生长,陷光结构质量高。
所述制备方法,将表面具有陷光结构的模板经活化处理后放入ABX3钙钛矿前驱溶液中,前驱溶液在具有陷光结构的模板表面异相成核,进而原位生长出与模板表面陷光结构相反的具有表面陷光结构的ABX3钙钛矿单晶;其中,A为CH3NH3+、H2N‑CH=NH2+、(CH3)4N+、C7H7+、Cs+或C3H11SN32+;B为Pb、Ge或Sn;X为Cl、Br或I。
通过采用具有稳定的陷光结构的材料为模板,钙钛矿生长液在具有凹凸的表面结构的模板上异相成核,进而原位生长出与模板结构相反的具有表面陷光结构的钙钛矿单晶。

专利状态

基础信息

专利号
CN201910959359.4
申请日
2019-10-10
公开日
2019-12-06
公开号
CN110541187A
主分类号
/C/C30/ 化学;冶金
标准类别
晶体生长
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

刘生忠 张云霞 刘渝城

申请人

陕西师范大学

申请人地址

710119 陕西省西安市长安区西长安街620号

专利摘要

本发明一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法,操作简单,成功率高,能够原位生长,陷光结构质量高。
所述制备方法,将表面具有陷光结构的模板经活化处理后放入ABX3钙钛矿前驱溶液中,前驱溶液在具有陷光结构的模板表面异相成核,进而原位生长出与模板表面陷光结构相反的具有表面陷光结构的ABX3钙钛矿单晶;其中,A为CH3NH3+、H2N‑CH=NH2+、(CH3)4N+、C7H7+、Cs+或C3H11SN32+;B为Pb、Ge或Sn;X为Cl、Br或I。
通过采用具有稳定的陷光结构的材料为模板,钙钛矿生长液在具有凹凸的表面结构的模板上异相成核,进而原位生长出与模板结构相反的具有表面陷光结构的钙钛矿单晶。

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