本发明公开了一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法，包括以下步骤：S1，对采用VGF法生长单晶时使用的石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理；S2，采用VGF法生长低浓度P型磷化铟单晶；本发明通过对石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩埚中的羟基(OH)杂质，从而降低了磷化铟单晶中的氢含量，进而降低了磷化铟单晶中VInH4施主缺陷的浓度。

刘京明 赵有文

珠海鼎泰芯源晶体有限公司

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本发明公开了一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法，包括以下步骤：S1，对采用VGF法生长单晶时使用的石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理；S2，采用VGF法生长低浓度P型磷化铟单晶；本发明通过对石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩埚中的羟基(OH)杂质，从而降低了磷化铟单晶中的氢含量，进而降低了磷化铟单晶中VInH4施主缺陷的浓度。