本发明提供一种溶液法生长大尺寸晶体的搅拌缓流装置以及设备,能够减小近壁面处的流体扰动,减小晶体壁面附近温度梯度,保障籽晶生长面附近温度场及流场的稳定性,进而有效地促进大尺寸碳化硅晶体的稳定生长。
本发明所提供的搅拌缓流装置,其特征在于,包括:盛液容器,位于用于盛装晶体生长用的原料溶液;和搅拌缓流装置,包括搅拌器和缓流片,缓流片安装在搅拌器的搅拌杆的底部,并且伸入盛液容器内的原料溶液中,缓流片的底面用于安装碳化硅籽晶,并且缓流片的外径为籽晶外径的1.3倍以上。
进一步,碳化硅晶体生长设备,包括:盛液容器,用于盛装晶体生长用的原料溶液;和上述搅拌缓流装置。
刘博涛 高冰 唐霞 于越
武汉大学
430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
本发明提供一种溶液法生长大尺寸晶体的搅拌缓流装置以及设备,能够减小近壁面处的流体扰动,减小晶体壁面附近温度梯度,保障籽晶生长面附近温度场及流场的稳定性,进而有效地促进大尺寸碳化硅晶体的稳定生长。
本发明所提供的搅拌缓流装置,其特征在于,包括:盛液容器,位于用于盛装晶体生长用的原料溶液;和搅拌缓流装置,包括搅拌器和缓流片,缓流片安装在搅拌器的搅拌杆的底部,并且伸入盛液容器内的原料溶液中,缓流片的底面用于安装碳化硅籽晶,并且缓流片的外径为籽晶外径的1.3倍以上。
进一步,碳化硅晶体生长设备,包括:盛液容器,用于盛装晶体生长用的原料溶液;和上述搅拌缓流装置。