一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构，本发明涉及一种太阳能晶体硅材料的技术领域。
使用单块板状籽晶，在籽晶诱导下从上向下沿籽晶厚度方向，从硅熔液中生长高度略等于宽度的准方形晶体。
为实现所述晶体生长方法，本发明热场结构包括主、副炉室、籽晶装载腔、晶棒卸载腔，晶体提拉机构，坩埚，加热器，保温筐，隔热板等部件，副炉室中的晶体提拉机构挂载籽晶诱导晶体生长，在晶体生长过程中，在籽晶装载腔和晶棒卸载腔进行籽晶模块的准备和晶棒的取出，晶棒生长完成后，晶体提拉机构可快速卸载并再次挂载籽晶块生长下一根晶体。
本发明所生长类单晶硅晶体，具有晶向统一，边皮料比例低，产品合格率高，缺陷密度低，生产效率高的特点。

张志强

常州常晶科技有限公司

213001 江苏省常州市新北区华山路18号

一种类单晶硅晶体生长方法和热场结构，本发明涉及一种太阳能晶体硅材料的技术领域。
使用单块板状籽晶，在籽晶诱导下从上向下沿籽晶厚度方向，从硅熔液中生长高度略等于宽度的准方形晶体。
为实现所述晶体生长方法，本发明热场结构包括主、副炉室、籽晶装载腔、晶棒卸载腔，晶体提拉机构，坩埚，加热器，保温筐，隔热板等部件，副炉室中的晶体提拉机构挂载籽晶诱导晶体生长，在晶体生长过程中，在籽晶装载腔和晶棒卸载腔进行籽晶模块的准备和晶棒的取出，晶棒生长完成后，晶体提拉机构可快速卸载并再次挂载籽晶块生长下一根晶体。
本发明所生长类单晶硅晶体，具有晶向统一，边皮料比例低，产品合格率高，缺陷密度低，生产效率高的特点。