本发明提供一种适合用于功率器件的、晶体生长方向上的电阻率的公差小的n型且高电阻的单晶硅锭的制造方法。
将Sb或As作为n型掺杂剂的单晶硅锭的制造方法中，一边进行单晶硅锭(1)的提拉，一边调整包括腔室(30)内的压力、Ar气体的流量以及引导部(70)及硅熔液(10)的间隔(G)中的至少任一个的提拉条件值，由此n型掺杂剂从硅熔液(10)蒸发时的每单位固化率的蒸发量维持在每单位固化率的目标蒸发量的范围内。

宝来正隆 杉村涉 小野敏昭 藤原俊幸

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日本东京都

本发明提供一种适合用于功率器件的、晶体生长方向上的电阻率的公差小的n型且高电阻的单晶硅锭的制造方法。
将Sb或As作为n型掺杂剂的单晶硅锭的制造方法中，一边进行单晶硅锭(1)的提拉，一边调整包括腔室(30)内的压力、Ar气体的流量以及引导部(70)及硅熔液(10)的间隔(G)中的至少任一个的提拉条件值，由此n型掺杂剂从硅熔液(10)蒸发时的每单位固化率的蒸发量维持在每单位固化率的目标蒸发量的范围内。